性能飚升100倍、功耗裁减99%! NEO推出3D X-AI芯片

据8月18日音讯，半导体公司NEO Semiconductor近日文告推出3D X-AI芯片手艺，被估量打算用于取代高带宽内存(HBM)中的现存DRAM芯片，以提高东说念主工智能管感性能并权臣降顽劣耗。

3D X-AI芯片集成了8000个神经元电路，这些电旅途直在3D DRAM中实践AI管理任务，杀青了AI性能加快达到100倍。

与此同期，由于大幅减少了数据传输需求，该芯片的功耗裁减了99%，有用裁减了数据总线的功耗和发烧问题。

NEO Semiconductor的这一翻新还带来了8倍的内存密度，其3D X-AI芯片包含300个DRAM层，支援入手更大规模的AI模子。

该公司此前已文告环球首款3D DRAM手艺，而3D X-AI芯片则是在此基础上的进一步翻新，通过同样HBM的堆叠封装，杀青了每芯片高达10 TB/s的AI管理微辞量。

NEO Semiconductor首创东说念主兼首席实践官Andy Hsu指出，刻下AI芯片架构中数据存储与管理的分手导致了性能瓶颈和高功耗问题。

3D X-AI芯片通过在每个HBM芯片中实践AI管理，权臣减少了HBM和GPU之间传输的数据量，从而提高性能并裁减功耗。

行业分析师Jay Kramer合计，3D X-AI手艺的专揽将加快新兴AI用例的缔造，并鼓吹新用例的创造，为AI专揽翻新开启新期间。